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隨著信息顯示技術的高速發(fā)展，可穿戴顯示技術應運而生，透明電子學將是未來信息顯示技術的重要組成部分。其中，n型氧化物薄膜晶體管與p型氧化物薄膜晶體管相結合組成的雙極性薄膜晶體管是實現(xiàn)透明電子器件的基礎。p型氧化物薄膜由于空穴導電的特點，將其做成薄膜晶體管，將更加有利于驅動有機發(fā)光二極管高開口率像素單元。同時，p型氧化物的薄膜晶體管如果能與平板顯示技術相結合，將會使屏幕更加清晰。
然而，現(xiàn)有研究發(fā)現(xiàn)，p型氧化物的電學性能還遠無法與n型氧化物的電學特性能相匹配，這大大限制了氧化物PN結、透明氧化物大規(guī)模集成電路的發(fā)展。近年來，氧化錫及其摻雜體系被認為是應用潛力巨大的p型氧化物。所以制備高性能、結構和物理性質穩(wěn)定的p型SnOx透明導電薄膜在p型氧化物透明導電薄膜領域具有很大的價值和重要的意義。
2012.08-2012.12 新加坡國立大學材料科學與工程學院，Research Engineer
2013.06-至今 中國地質大學（武漢）材料與化學學院，副教授
